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麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

簡要描述:麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭
基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭,擁有共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相,是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進(jìn)的激光供電技術(shù),解決了隔離供電的問題。

更新時間:2024-09-14

產(chǎn)品型號: MOIP200P

所屬分類:麥科信示波器

訪問量:416

詳細(xì)說明:

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP系列光隔離探頭

帶寬:DC-1GHz

共模電壓: 85kVpk

直流增益精度:1%

共模抑制比:高達(dá)180dB

產(chǎn)品概述:

基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭,擁有共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相,

是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進(jìn)的激光供電技術(shù),解決了隔離供電的問題。

產(chǎn)品特點:

最真實的信號呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有共模抑制比,在100MHzCMRR高達(dá)128dB、在1GHzCMRR仍然高達(dá)108dB,是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

測試精度與穩(wěn)定性

作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判,測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。SigOFIT光隔離探頭,具有幅頻特性,直流增益精度優(yōu)于1%,底噪小于0.45mVrms,預(yù)熱5min后零點漂移小于0.1%,增益漂移小于1%

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

第三代半導(dǎo)體的最佳測試手段

第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時間很短,信號具有更快的上升沿和下降沿,信號中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩,所呈現(xiàn)的信號沒有額外多余成分。

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

測試氮化鎵(GaN)不炸管

SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容最小僅1pF,測試氮化鎵(GaN)十分安全。

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

使用靈活,高效便捷

SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小,探頭引線更精巧,使用更加靈活方便;探頭響應(yīng)快,上電即測,校準(zhǔn)時間小于1秒,校準(zhǔn)時,無需斷開測試連接,可實時保證精確的信號輸出。

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

真正光隔離技術(shù)

用激光傳輸信號+用激光傳輸電能(不用電池,電源更純凈),可365天不間斷測試。

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

測試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號,SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器,可以測試±0.01V±6250V的差模信號,并實現(xiàn)滿量程輸出,達(dá)到很高的信噪比。

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

應(yīng)用場景

對其他電壓探頭所測結(jié)果準(zhǔn)確性、真實性存在質(zhì)疑時,SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。

電源設(shè)備評估、電流并聯(lián)測量、EMI ESD 故障排除

電機(jī)驅(qū)動設(shè)計、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計

氮化鎵、碳化硅、IGBT/全橋設(shè)備的設(shè)計與分析

高壓高帶寬測試應(yīng)用的安全隔離測試

逆變器、UPS及開關(guān)電源的測試

寬電壓、寬帶測試應(yīng)用

各種浮地測試

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP100P 光隔離探頭

 

產(chǎn)品參數(shù):

產(chǎn)品型號

MOIP100P

MOIP200P

MOIP350P

MOIP500P

MOIP800P

MOIP1000P

    

100MHz

200MHz

350MHz

500MHz

800MHz

1GHz

上升時間

≤3.5ns

≤1.75ns

≤1ns

≤700ps

≤438ps

≤350ps

共模抑制比

DC: 180dB

100MHz: 128dB

DC: 180dB

200MHz: 122dB

DC: 180dB

350MHz: 118dB

DC: 180dB

500MHz: 114dB

DC: 180dB

800MHz: 110dB

DC: 180dB

1GHz: 108dB

差模電壓

±6250V

±5000V

    

<0.45mVrms

<0.45mVrms

直流增益精度

1%

共模電壓

85kVpk

    

通用BNC

 



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